快科技10月26日音书，英特尔时间长Pushkar Ranade指出，以内行现存半导体制造确立范围来看，先进制程晶圆产量要扩大10倍并扼制易，比拟之下，栽种至约2倍更具现实可能性。

英特尔高管在访谈中示意，先进制程的发展瓶颈不单在于芯片盘算推算与制程微缩，还波及极紫外光（EUV）光刻确立、蚀刻与薄膜千里积确立等上游供应智商。若要进一步扩大产能，确立供应链也必须同步成长。

访谈还将焦点延迟至将来20年的芯片制造时间，涵盖英特尔14A制程、高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻、后面供电、互补场效应晶体管（CFET）及夹杂键合等时间，商量晶圆厂何如碎裂现存制造步地放胆。

英特尔把持Chris Auth自大，14A制程已研发朝上3年，一套先进制程波及约2000说念制造方法。从研发走向量产，除确立建树与制程优化外，过错端正及良率栽种亦然蹙迫责任，必须确保制程概况沉稳参预大范围分娩。

英特尔往常曾因10纳米制程延迟靠近挑战，原因包括晶体管密度栽种目标过于激进，以及同期导入复杂的制程革命。

为镌汰近似风险，公司如今通过期间锻真金不怕火度评估与阶段性审查机制，端正单一制程节点同期导入首要革命的数目，栽种量产时程可展望性。

在光刻时间方面，High-NA EUV是14A的蹙迫时间选项之一。该时间将数值孔径从0.33提高至0.55，单次曝光区分智商可栽种约1.7倍。

英特尔觉得，搭配后面供电时间，High-NA EUV有望减少部分复杂图形所需的多重曝光方法，但试验是否秉承，仍须考量资本及客户芯片盘算推算需求。

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